韶關(guān)市金源金屬材料有限公司供應磷化銦、磷化銦單晶、磷化銦晶片2寸3寸4寸,
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簡(jiǎn)要介紹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
InP單晶材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管(LD),發(fā)光二極管(LED)和光探測器等的關(guān)鍵材料 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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詳細參數 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
InP單晶基片 InP單晶材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管(LD),發(fā)光二極管(LED)和光探測器等的關(guān)鍵材料,這些器件實(shí)現了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質(zhì)結雙極晶體管(HBT)等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽(yáng)能電池、異質(zhì)結晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應用. InP單晶材料的主要生長(cháng)方法,包括傳統液封直拉技術(shù)(LEC)、改進(jìn)的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技術(shù)(VGF)/垂直布里奇曼技術(shù)(VB)等。
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